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随着半导体产业的不断发展，器件的尺寸愈发细微使得寻找或开发更为先进的薄膜生长技术尤为重要，这些器件需要低热预算、薄膜厚度精度高和在三维 (3D) 结构上的出色保形性，然而，传统的沉积技术，化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)已经不能完全适应这一发展趋势。ALD技术由于其沉积参数的高度可控性(厚度、成份和结构)、优异的均匀性和保形性，使其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。 该技术应用的主要领域包括以下方面 [1]:高K介电质(Al2O3 ，Hf O2，Zr O，Ta 2 O5，La 2 O3):用于晶体管栅极与DRAM电容器介电层;金属栅电极(Ir，Pt，Ru，Ti N);金属互连与衬板(Cu，WN，Ta N，WNC，Ru，Ir):用于铜互连线的金属扩散阻挡层，晶体管栅的半导体通孔，和存储单元应用，如DRAM电容器，钝化层;催化材料(Pt，IrCo，Ti O2，V 2 O5):用于过滤膜内的涂层，催化剂(用于汽车催化转化器的铂膜)，燃料电池用离子交换涂层;纳米结构(各种材料):用于纳米结构和MEMS周围和里面的保形沉积;生物涂料(Ti N，Zr N，Cr N，Ti Al N，Al Ti N):用于体内的医疗设备及仪器的生物相容性材料;ALD金属材料(Ru，Pd，Ir，Pt，Rh，Co，Cu，Fe，Ni);压电层(Zn O，Al N，Zn S);透明电导体(Zn O︰Al，ITO);紫外线阻挡层(Zn O，Ti O2);OLED钝化(Al2O3 );固体润滑层(WS2);光子晶体(Zn O，Zn S︰Mn，Ti O2，Ta2 N5):多孔氧化铝和反向蛋白石的内涂层;防眩和光学过滤器(Al2O3 ，Zn S，Sn O2，Ta 2 O5):法布里—珀罗触发器滤光片;电致发光器件(Sr S︰Cu，Zn S︰Mn，Zn S︰Tb，Sr S︰Ce);加工层(Al2O3 ，Zr O2):用于蚀刻势垒层，离子扩散势垒层，电磁记录磁头的涂层;光学应用(Al Ti O，Sn O2，Zn O):用于纳米光学材料，太阳能电池，集成光学材料，光学薄膜，激光，各种介电质制膜;传感器(Sn O2，Ta 2 O5):用于气体传感器，pH值传感器;磨损和腐蚀抑制层(Al2O3 ，Zr O2，WS2)
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